採用情報半導体のできるまで

アプリシアテクノロジーでは、ウエハ処理工程(前工程)の各工程において、シリコン・ウエハの表面・洗浄処理ならびにCMP工程におけるCMPスラリー(研磨剤)の希釈・供給装置を取り扱っています。

出典：社団法人日本半導体製造装置協会

ウェーハ処理工程(前工程)

■ウェーハ表面を酸化

ウェーハを高温の拡散炉(900℃～1,100℃)の中で
酸化性雰囲気にさらし、表面に酸化膜を成長させます。

■フォトレジスト塗布

フォトレジストを極めて薄く均一に塗布して、
ウェーハに感光性を持たせます。

平坦化（CMP）から

■ウェーハ表面にパターン形成

フォトマスクを介し、
露光してマスクのパターンを焼きつけた後、現像します。

■エッチング

エッチングして部分的に酸化膜を除去します。
その後、不要なレジストも取り除きます。

■酸化・拡散・CVD・イオン注入

ウェーハにイオンを注入(ボロン、リン)や高温拡散を行うと
シリコンが出ている部分だけが半導体になります。

■平坦化（CMP）

ウェーハ表面を研磨し、パターンの凹凸を平坦化します。

フォトレジスト塗布から平坦化までの工程を繰り返し、
ウェーハ上にトランジスタなど必要な素子を作り込みます。

フォトレジスト塗布へ

■電極形成

不活性ガスプラズマによりアルミターゲットをスパッタリングし、
ウェーハ表面に電極配線用のアルミ金属膜を形成します。

■ウェーハ検査

ウェーハをチップごとに試験し、良品・不良品の確定をし、
不良品にはマークをつけます。